? 院士簡介

吳漢明，中國工程院院士，微電子技術（集成電路制造）專家。吳漢明院士長期工作在我國集成電路產業鏈重要環節，并作出突出貢獻。主持、指導了包括國家重大專項的0.13微米至14納米七代芯片工藝研發，負責攻克了包括刻蝕等一系列關鍵工藝難點，工藝集成后實現產業化。突破了長期以來我國高端芯片工藝完全依賴進口的制約，與世界水平差距明顯縮小。負責我國首臺刻蝕機研發項目的理論工作，并成功產業化。

? 發展定位

集成電路基礎研究室將圍繞鵬城實驗室未來重大研究方向需要，立足集成電路行業的國產化需求，開展高端接口IP核的關鍵技術研究，包括DDR5和高速SerDes等，打造開源技術平臺，支持國家戰略需求。

? 研究方向

集成電路高端接口IP核的研究目標是設計到制造，從5G應用到高速網絡通信，高性能計算包括量子計算，數據中心的數據處理與存取等?；A技術包括了數學和物理方法，工程技巧與制造經驗。設計與制造的關鍵技術包括芯片之間的電子通信，底板總線(backplane)和遠距離(long-haul)高速數據的電子通信與光學通信的互聯方案。

在高速數據的電子系統設計(electronic system design, ESD)中，首先建立高數據率(例如32Gbps和64Gbps)IP核的設計技術與制造技術的協同優化(design technology co-optimization, DTCO)策略與方法。在電子系統的制造方案中，融合DTCO并建設TCAD(Technology CAD)分析技術，提升IP核用于高端產品的質量與可靠性。在建立CMOS與低溫量子點(quantum dot, QD)芯片的通用工藝方案中，進一步發展為硅光(silicon photonic, SiPh)芯片的制造與集成(photonics integrated circuit, PIC)平臺。從而實現以DTCO為導向，結合采用TCAD方法，對工藝數據進行現場采集、分析和應用。同時，協同發展或應用相應的量子EDA(QEDA)方法；為進一步發展CMOS-硅光協同封裝(co-packaged optics)設計與2.5D系統封裝(SiP)和3D硅通孔(TSV)封裝提供技術基礎。

近期研究的課題與優先解決的技術問題包括：

1. 針對先導工藝下硅基無源元器件(電容、電感、傳輸線等)的電磁場的理論模型的不足的科學問題，建立先進工藝下的器件仿真建模及優化。

2. 依據科學理論研究結果，指導實現低抖動(<100fs)PLL的架構設計和關鍵模塊設計。

3. 研究PLL數字化技術，包括高精度時數轉換器技術以及量化噪聲及雜散消除技術等。

4. 針對低功耗、低延時、高速率、高帶寬利用率的DDR IP，首先需要解決如何確保LPDDR5在并行高速率下穩定工作；其次研究LPDDR5高速率工作條件帶來的延時問題，尋找滿足低延時的需求的途徑；最后研究解決功耗控制的科學問題，發現LPDDR5高速率工作條件與功耗規律，尋找最優的低功耗方法。

? 招聘啟示

優先招聘對前沿集成電路從設計到制造的專業人才，職位包括研究員、博士后、工程師等多個崗位。

對以上研究方向感興趣者，歡迎將個人學習與工作簡歷等申請材料發送至 wangh01@pcl.ac.cn   或參考網頁投送： https://hr.pcl.ac.cn/